Veronica半导体速报

1. 三星代工正与比亚迪等中国主要车企谈判，计划基于4nm和2nm GAA工艺制造下一代自动驾驶SoC。

2. 属于前道晶圆制造（光刻/蚀刻/掺杂等），尤其是2nm环绕栅极（GAA）技术，直接影响算力、功耗与热管理。

3. 中芯国际7nm产能已被华为占满且良率有限，三星成为除台积电外唯一可行先进制程选择，特斯拉已委托其生产AI6芯片。

4. 车规级2nm芯片需极高可靠性与实时处理能力，该订单若落地将标志三星代工在汽车电子领域取得重大突破，改变车用芯片代工格局。

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1. LG Innotek向SK海力士提供Intel EMIB用FC-BGA基板工程样品；同时Google TPU v8t因CoWoS短缺已认证Intel EMIB-T封装，并集成AP Memory的超薄硅电容。

2. 属于先进封装（步骤15）中的2.5D技术，EMIB以硅桥嵌入基板实现芯片间高密度互连，EMIB-T进一步内置硅电容改善供电。

3. Intel、SK海力士、LG Innotek、Google、联发科等直接受益，台积电CoWoS垄断地位受挑战。

4. CoWoS产能紧张促使大客户寻求替代方案，Intel EMIB生态系统从基板材料到终端应用全面加速，先进封装竞争进入新阶段。

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1. 乐天能源材料本月起向英伟达下一代GPU供应AI电路箔，原计划下半年提前，应英伟达要求加速量产。

2. 属于封装（步骤15）上游的PCB核心材料，经由铜箔→CCL→PCB路径，最终集成到GPU基板。

3. 打破日本三井矿业长期垄断，Doosan、Isu Petasys等韩厂同步受益，利好英伟达GPU产能。

4. 电路箔厚度仅A4纸的1/20，价格是普通电池铜箔的3-4倍，是AI高速数据处理的关键基础材料，技术壁垒极高，新供应商入局有助缓解AI封装基板瓶颈。

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1. TrendForce预测第二季度主流DRAM合约价环比上涨58-63%，继一季度暴涨93-98%后继续飙升，供应商库存极低。

2. 属于存储芯片环节，DRAM晶圆制造独立，但直接服务于HBM和AI服务器，影响所有计算平台。

3. 三星、SK海力士、美光三大供应商高度受益，下游服务器与AI客户面临成本压力。

4. AI训练与推理带动HBM及配套DDR5需求井喷，产能增长有限导致严重供不应求，存储涨价将持续向终端传导。

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1. 台湾【华新科】以原物料与运营成本上升为由，调涨芯片电阻及部分被动元件价格，MLCC与钽电容已先行涨价。

2. 被动元件虽非半导体核心材料，但大量用于封装测试设备、PCB及半导体制造设备内部电路，间接影响15/16步等后道制程。

3. 华新科、国巨等台系厂及村田、三星电机等日韩供应商面临成本传导，影响所有半导体设备商与封测厂。

4. 电阻等基础部件的涨价显示成本上涨已从专用材料向通用元件扩散，可能进一步推高设备造价与维护费用，需关注对扩产计划的影响。

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