1. 联发科CEO驳斥转单三星传言,明确台积电是关键长期伙伴,同时未否认与IntelEMIB在先进封装上的合作。
2. 涉及代工(前道光刻等)与后道【第15步——封装】中的2.5D嵌入桥接技术。
3. 影响台积电的客户忠诚度,也反映Intel代工在先进封装领域正争取移动SoC客户。
4. 显示IC设计公司正采用“前道台积电、后道多源化”的策略,以获取更灵活的先进封装产能。
[4]本周半导体行业聚焦于测试设备的严重短缺、AI驱动的光互联及存储景气,以及三星2nm与【联发科】的代工封装策略。
1. 联发科CEO驳斥转单三星传言,明确台积电是关键长期伙伴,同时未否认与IntelEMIB在先进封装上的合作。
2. 涉及代工(前道光刻等)与后道【第15步——封装】中的2.5D嵌入桥接技术。
3. 影响台积电的客户忠诚度,也反映Intel代工在先进封装领域正争取移动SoC客户。
4. 显示IC设计公司正采用“前道台积电、后道多源化”的策略,以获取更灵活的先进封装产能。
[4]1. 瑞银报告指出,铠侠NAND晶圆成本仅2000美元,仅为三星的一半,得益于其独特的横向(水平)缩放架构。
2. 属于前道制造中的3D NAND堆叠工艺,涉及沉积、蚀刻等多步循环。
3. 直接影响NAND闪存市场格局,铠侠的成本优势可能冲击三星、SK海力士等竞争对手。
4. 说明在NAND领域,架构创新(而非单纯层数竞争)可带来显著成本壁垒,从业者需关注不同厂商的工艺路线差异。
[2]1. 三星宣布其Taylor Fab已准备就绪,明年启动2nm工艺量产,为特斯拉自动驾驶芯片AI5等客户代工。
2. 涉及前道全流程,尤其先进光刻【蚀刻】步骤,采用SF2P+工艺,性能提升可达30%。
3. 直接利三星代工,威胁台积电在先进节点的独大地位,设备与材料供应商亦将受益。
4. 2nm上车意味着先进制程从手机/服务器延伸至汽车应用,为车规芯片设立新性能标杆。
[3]1. 测试设备所需的FPGA、CPU、驱动IC等非存储芯片交期激增至52周,部分价格暴涨3倍,导致设备厂无法按时交货。
2. 直接影响产业链第【16步——测试】环节,设备供应瓶颈将拖慢芯片出货。
3. 受影响厂商包括测试设备制造商及三星等下单客户,FPGA瓶颈主要来自【AMD(赛灵思)】,CPU供应紧张涉及Intel。
4. 原因在于AI/数据中心需求挤占关键芯片产能,测试设备产能受限将加剧整体芯片供应的不确定性。
[1]1. 市调机构预测,受Agentic AI带动,全球DRAM营收2026年同比增长303%,NAND增长208%,2027年仍将高增。
2. 影响所有存储环节,尤其前道晶圆制备HBM/高堆叠NAND的产能争夺。
3. 三星SK海力士美光等存储大厂将直接受益,设备与原料供应商亦跟进。
4. 此轮存储景气并非单一手机/PC驱动,而是AI代理对高带宽内存的海量需求,从业者需重视HBM/大容量SSD产能布局。
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