本周半导体行业聚焦于测试设备的严重短缺、AI驱动的光互联存储景气,以及三星2nm与【联发科】的代工封装策略。

厂商动态

联发科重申台积电为长期伙伴,不否认与Intel合作EMIB先进封装

1. 联发科CEO驳斥转单三星传言,明确台积电是关键长期伙伴,同时未否认与IntelEMIB在先进封装上的合作。

2. 涉及代工(前道光刻等)与后道【第15步——封装】中的2.5D嵌入桥接技术。

3. 影响台积电的客户忠诚度,也反映Intel代工在先进封装领域正争取移动SoC客户。

4. 显示IC设计公司正采用“前道台积电、后道多源化”的策略,以获取更灵活的先进封装产能。

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技术进展

UBS报告揭示铠侠NAND晶圆成本仅为三星一半,横向缩放架构立功

1. 瑞银报告指出,铠侠NAND晶圆成本仅2000美元,仅为三星的一半,得益于其独特的横向(水平)缩放架构。

2. 属于前道制造中的3D NAND堆叠工艺,涉及沉积、蚀刻等多步循环。

3. 直接影响NAND闪存市场格局,铠侠的成本优势可能冲击三星SK海力士等竞争对手。

4. 说明在NAND领域,架构创新(而非单纯层数竞争)可带来显著成本壁垒,从业者需关注不同厂商的工艺路线差异。

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三星Taylor Fab确认2026年量产2nm,将代工特斯拉AI5芯片

1. 三星宣布其Taylor Fab已准备就绪,明年启动2nm工艺量产,为特斯拉自动驾驶芯片AI5等客户代工。

2. 涉及前道全流程,尤其先进光刻【蚀刻】步骤,采用SF2P+工艺,性能提升可达30%。

3. 直接利三星代工,威胁台积电在先进节点的独大地位,设备与材料供应商亦将受益。

4. 2nm上车意味着先进制程从手机/服务器延伸至汽车应用,为车规芯片设立新性能标杆。

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供应链变化

半导体测试设备遭遇「史上最严重」元件短缺,交付被迫延迟

1. 测试设备所需的FPGA、CPU、驱动IC等非存储芯片交期激增至52周,部分价格暴涨3倍,导致设备厂无法按时交货。

2. 直接影响产业链第【16步——测试】环节,设备供应瓶颈将拖慢芯片出货。

3. 受影响厂商包括测试设备制造商及三星等下单客户,FPGA瓶颈主要来自【AMD(赛灵思)】,CPU供应紧张涉及Intel

4. 原因在于AI/数据中心需求挤占关键芯片产能,测试设备产能受限将加剧整体芯片供应的不确定性。

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AI驱动光互联爆发:Foxconn CPO交换机出货破万,AIXTRON获InP外延大单

1. 富士康预计今年CPO交换机出货达1万个托盘,2027年翻倍;【爱思强】获LumentumInP激光器外延系统重复订单。

2. 涵盖前道薄膜沉积/外延(InP MOCVD)与后道封装环节(CPO共封装光学)。

3. 受益方包括光电器件制造商Lumentum、封测厂日月光等,以及AI数据中心用户。

4. 800G/1.6T光通信时代,光电集成从外延到封装的全链路设备需求激增,预示硅光子生态加速成熟。

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市场与需求

TrendForce:AI代理驱动存储市场爆发,2026年DRAM营收激增303%

1. 市调机构预测,受Agentic AI带动,全球DRAM营收2026年同比增长303%,NAND增长208%,2027年仍将高增。

2. 影响所有存储环节,尤其前道晶圆制备HBM/高堆叠NAND的产能争夺。

3. 三星SK海力士美光等存储大厂将直接受益,设备与原料供应商亦跟进。

4. 此轮存储景气并非单一手机/PC驱动,而是AI代理对高带宽内存的海量需求,从业者需重视HBM/大容量SSD产能布局。

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