本周半导体圈聚焦存储供应延迟SiC大尺寸衬底先进封装产能争夺;美光预警新增产能2027年底才上线,8/12英寸SiC衬底合作加速商业化,AI芯片需求引爆先进制程封装与测试产能及设备竞赛,黄仁勳回应华为方案强调混合键合壁垒。

厂商动态

普渡大学与GCCS合作推进8-12英寸碳化硅衬底商业化

1. 发生了什么:普渡大学与台湾GCCS合作,将碳化硅(SiC)衬底从6英寸加速推向8英寸和12英寸量产。

2. 属于产业链哪个环节:对应制造流程第1步晶片制备,为后续外延和功率器件提供大尺寸衬底。

3. 可能影响的公司或赛道:Wolfspeed、Coherent、意法半导体等SiC大厂,新能源车与工业功率芯片供应链。

4. 为什么值得关注:大尺寸衬底可大幅降低单颗芯片成本,如同硅从8寸迈向12寸,新人需理解衬底尺寸对成本的决定性影响。

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技术进展

联发科、高通ASIC受云巨头青睐,先进制程与封装产能成决胜关键

1. 发生了什么:云服务CSP对ASIC需求旺盛,但先进制程和先进封装产能吃紧,CSP选择合作方时更看重其获取产能的综合能力。

2. 属于产业链哪个环节:涵盖前道光刻等先进制程以及后道封装(尤其是CoWoS),直接影响ASIC能顺利流片。

3. 可能影响的公司或赛道:联发科、高通、博通、Marvell等设计服务商,台积电、三星代工产能分配话语权进一步强化。

4. 为什么值得关注:AI算力之争已从设计转向制造资源争夺,掌握产能即掌握客户,新人可理解为“设计得出来,也必须造得出来”。

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韩美半导体开发出HBF专用TCB,高带宽闪存生态启动

1. 发生了什么:韩美半导体宣布已开发出高带宽闪存专用热压键合机,预计2026下半年交付全球NAND大厂。

2. 属于产业链哪个环节:对应后道封装键合步骤,HBF模仿HBM堆叠NAND Flash,需高精度TCB实现芯片-芯片连接。

3. 可能影响的公司或赛道:三星、SK海力士、铠侠等NAND厂商,韩美半导体等先进封装设备商。

4. 为什么值得关注:HBF被视为突破存储墙的新形态,TCB设备是关键瓶颈,新人可了解热压键合是3D堆叠的核心互连技术之一。

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供应链变化

台积电旗下精材大扩晶圆测试产能,下半年总测试产能增50%

1. 发生了什么:精材宣布2026下半年晶圆测试(CP)总产能新增50%,并投入新资本支出案。

2. 属于产业链哪个环节:直接对应后道第16步测试,是晶圆制造完成后保障良率的关口。

3. 可能影响的公司或赛道:台积电及日月光等封测生态,以及急需大批量测试的AI/HPC芯片客户。

4. 为什么值得关注:测试是AI芯片出货的“最后一公里”,产能大幅扩张说明下游需求强劲,新人须知复杂芯片往往需要多轮测试,并非一蹴而就。

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黄仁勳回应华为“韬”方案,称3D封装与混合键合台积电早已卡位

1. 发生了什么:黄仁勳在采访中表示,华为提出的“韬”技术不威胁台积电,因台积电在3D封装混合键合等方面近十年前就已布局。

2. 属于产业链哪个环节:集中在后道封装环节,涉及3D堆叠和混合键合,是先进芯片互连的关键。

3. 可能影响的公司或赛道:台积电、NVIDIA、华为,以及全球先进封装设备与材料供应商。

4. 为什么值得关注:混合键合可驱动AI芯片微缩与互联密度,黄仁勳的回应凸显技术壁垒极高,新人可将先进封装理解为纳米级的精密拼接而非简单组合。

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市场与需求

美光高管预警:存储芯片新增供应要到2027年底,短缺延续至2028年

1. 发生了什么:美光EVP强调,尽管有大量新投资,有意义的存储芯片新增产能要到2027年底才上线,2028年逐步放量。

2. 属于产业链哪个环节:【存储芯片制造】涵盖前道晶圆与后道封装测试,供应延迟直接影响整体产出。

3. 可能影响的公司或赛道:三星、SK海力士、美光等原厂受益价格,AI服务器、数据中心客户面临持续缺货。

4. 为什么值得关注:HBM和NAND是AI算力基石,供不应求将制约AI扩张,新人需知存储制造周期长、扩展缓慢,容易造成剧烈供需错配。

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