Veronica半导体速报

1.美光表示自三月财报电话会以来，受AI需求和存储器定价支撑，前景更加乐观。2.美光同时确认，台积电将为标准及定制HBM4E生产逻辑芯片，标志着HBM产业分工出现新变化。3.该合作将加深美光与台积电在AI内存领域的捆绑，可能影响HBM4E供应链格局，英伟达等最终客户将受益。4.这反映出AI服务器对高带宽内存的渴求仍在加剧，存储原厂通过与先进逻辑代工厂结盟来增强HBM竞争力，产业链价值重新分配。

^{[4] [5]}

1.根据行业周报，ASML最新High-NA EUV光刻设备已向客户交付，用于2nm及以下节点试产。

2.属于光刻环节（步骤6），是实现更小线宽的关键机台，数值孔径从0.33提升至0.55。3.将影响台积电、三星、英特尔等先进制程玩家，也将带动光刻胶、掩模版等相关材料需求。4.High-NA EUV每台售价超3亿欧元，是延续摩尔定律的“国之重器”，其交付进度决定了2nm工艺的量产时间表。

^[3]

1.Wolfspeed推出3.3kV碳化硅功率模块，采用工业标准封装；东芝启动1200V沟槽栅SiC MOSFET样品出货，主攻AI数据中心电源。

2.属于功率半导体器件制造，对应薄膜沉积和器件加工等前道步骤，并涉及封装环节。3.影响SiC衬底和外延供应商，以及数据中心电源、电网设备等下游市场，加速对传统IGBT的替代。4.随着AI算力中心功耗密度持续攀升，更高效率的SiC功率芯片成为降本增效关键，SiC在数据中心的渗透率有望快速拉升。

^{[6] [7] [8]}

1.英飞凌牵头的欧洲摩尔4功率项目正式启动，聚焦超越摩尔定律的功率半导体颠覆性技术。2.该项目将整合欧洲从材料、设备到器件制造的产学研资源，覆盖SiC、GaN等宽禁带半导体和新拓扑结构。3.有助于提升英飞凌、意法半导体及欧洲设备材料商的竞争力，对欧洲半导体自主化具有战略意义。4.面对中美在功率领域的投入，欧洲通过联盟方式巩固其汽车和工业功率芯片的全球领先地位，值得长期跟踪。

^{[9] [10]}

1.BluGlass宣布其单模GaN激光器实现1.9W峰值光输出，刷新业界记录。

2.属于化合物半导体器件制造，涉及MOCVD外延和芯片加工工艺，对应流程地图的薄膜沉积等步骤。3.该突破有望提升激光显示、生物医疗及工业材料加工的光源性能，强化GaN光电器件生态。4.GaN激光器在高亮度场景替代传统激光源的潜力逐渐显现，功率密度的提升是商业化关键，该纪录标志着技术成熟度再进一步。

^[11]

1.行业正评估将GPU和HBM分开封装，用光学互连突破GPU芯片周边“海岸线”物理限制，可安装数倍于目前的HBM。

2.属于产业链中的封装环节（步骤15），需将传统数据中心光互连器件微型化至芯片间，对共封装光学（CPO）提出极高要求。3.直接影响SK海力士、三星、美光等HBM大厂，以及英伟达、AMD等GPU厂商和OSAT封测厂；华为旗下哈勃投资国内InP光学芯片公司Milphoton，布局AI互连。4.这是打破AI算力“内存墙”的架构级变革，用光子替代电子传输，有望成倍提升AI加速器内存带宽与容量，但微型光器件量产难度极高。

^{[1] [2]}