Veronica半导体速报

1.2026年Q1三星电子、SK海力士研发费用大幅攀升，年增最高达68.3%2.聚焦环节：对应于先进封装（HBM）、薄膜沉积与【背面金属化】等步骤的高带宽存储器开发3.影响赛道：HBM3E/HBM4供应格局加速分化，NVIDIA/AMD等AI芯片客户将在产能与带宽上获益4.关注原因：HBM是AI算力关键瓶颈，两家巨头砸下惊人研发预算意味着HBM4量产时间可能提前，良率竞赛加剧

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1.中微半导体董事长尹志尧表示，中国已有能力制造先进蚀刻设备，中芯国际已导入800台【中微蚀刻机】2.对应环节：前端工艺关键步骤——【蚀刻】（步骤7），直接决定晶体管图形精度3.影响赛道：中国本土晶圆厂（中芯国际、长鑫等）在去美化产线上获得关键设备支撑4.关注原因：蚀刻机曾是国产化最难突破的环节之一，此规模导入标志着中国在成熟制程（可能延伸至先进节点）的设备自主化取得实质进展，可能改变全球蚀刻设备竞争格局

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1.布法罗大学、维拉诺瓦大学与IBM合作开发MorphOPC算法，利用多尺度层次形态学学习实现光掩模优化2.聚焦环节：光刻（步骤6）中的【光学邻近修正】（OPC），直接影响小于纳米级特征尺寸的转印精度3.潜在受益：光刻厂商（ASML/Nikon）和先进制程晶圆厂可借此提高良率、延长当前光刻设备寿命4.关注原因：随着晶体管逼近物理极限，OPC是提升光刻分辨率的关键技术，此类AI驱动的方法有望让2nm以下节点在无需全新设备的情况下实现工艺窗口扩大

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1.三星电子劳资双方在5月21日预定总罢工前进入第二次事后调解，但面临股东压力与停产风险2.影响环节：涵盖晶圆制造全流程（步骤2-14），罢工将直接冲击三星半导体产线稼动率与良率

3.可能影响：存储芯片（DRAM/NAND）供应恐收紧，下游手机/服务器厂商备货压力增大4.关注原因：此前韩国法院部分禁止罢工，此次若仍无法达成协议，可能重演2025年芯片短缺情景

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1.斗山集团将以约5万亿韩元收购全球第三大硅晶圆制造商SK Siltron全部股权2.对应环节：晶片制备（步骤1），硅晶圆是一切芯片的基石3.影响公司：台积电、英特尔、三星等主要晶圆代工厂将间接面对供应源集中化风险4.关注原因：SK Siltron是韩国唯一的12英寸大尺寸硅晶圆产能来源，收购后斗山跨界进入半导体上游原材料，可能引发硅晶圆供应的定价权与产能分配变化

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1.因上游晶圆代工与后段封测成本持续攀升，电源管理IC（PMIC）业者透露可能在2026年下半年启动涨价2.涉及环节：晶圆制造（整体前道步骤）与封装测试（步骤15/16），尤其12吋制程升级推高成本3.影响公司：PMIC设计厂（如矽力、联阳等）和下游手机/PC制造商成本压力上升4.关注原因：PMIC是几乎所有电子产品的必需芯片，涨价趋势若蔓延将推升终端产品价格，并反映出成熟制程产能的供需矛盾正在加剧

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