今日焦点:三星发力移动HBM用超高深宽比铜柱封装,目标2-3年内商用;【长鑫存储】2026年一季度营收预测暴增719%,存储格局加速洗牌;社区实践分享揭示SoC内存带宽陷阱与硬件加速器设计。

技术进展

三星开发移动HBM用超高深宽比铜柱封装,预计2-3年内用于Exynos处理器

三星电子正在研发“多堆叠FOWLP”技术,将铜柱深宽比从3-5:1提升至15-20:1,结合扇出晶圆级封装,目标在手机等移动设备中实现高带宽内存(HBM)。属于后道封装环节(第15步),涉及铜柱互连与FOWLP工艺,可提升I/O数量,预期带宽提升15-30%,堆叠层数达1.5倍以上。直接推动三星Exynos 2800/2900等移动处理器发展,可能影响高通、苹果等移动SoC厂商的路线选择,改变AI手机硬件架构。当前手机LPDDR的带宽与功耗已成端侧AI瓶颈,移动HBM若能量产,将真正开启智能终端的agentic AI体验,值得关注。

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社区分享:从零构建SIMD扫描线光栅化器,展示硬件加速器设计流程

社区开发者用SystemVerilog从零设计了一款SIMD扫描线三角形光栅化器,并开源仿真代码与详细博客,实现了图形渲染的硬件加速。属于数字芯片设计中的【硬件加速器】开发,对应逻辑设计与验证阶段,用于理解如何用硬件描述语言实现复杂图形算法。项目对FPGA/ASIC设计人员有参考价值,尤其帮助新人学习如何构建可综合的图形流水线,在GPU、图像处理器等领域有启蒙意义。通过完整项目(博客

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供应链变化

开源工具查出Orange Pi 5设备树严重错误,DDR带宽需求竟超理论极限128%

开发者使用自研DTS静态分析工具socc对Orange Pi 5设备树进行检查,发现若同时启用所有外设,峰值DDR带宽需求达65575 MB/s,超过理论极限51200 MB/s的28%。属于SoC系统设计中的内存带宽规划环节,涉及芯片设计阶段的DDR接口与外设管理,直接影响系统稳定性和实际性能。问题影响使用【瑞芯微RK3588】的开发板厂商与嵌入式开发者,揭示了许多开发板未充分考虑并发外设带宽的隐患,可能导致掉帧、杂音等故障。该工具开源(GitHub

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市场与需求

长鑫存储2026年Q1营收预测暴增719%,存储市场双头崛起加剧竞争

据泄露/预测数据,【长鑫存储(CXMT)】2026年第一季度营收74.6亿美元,净利润48.5亿美元,同比增长719%,业绩异常亮眼。属于前道晶圆制造环节(DRAM生产),其产能爬升与良率提升直接改变全球存储芯片供需格局。直接冲击三星SK海力士美光三大巨头,叠加长江存储(YMTC),中国存储厂商正从两翼打破垄断。存储市场长期由三巨头寡头控制,CXMT的崛起将加剧周期波动,未来可能面临产能过剩风险,值得产业链上下游警惕。

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基础学习资源速递:APB总线协议解析与FPGA/开发板本质区别

社区分享了讲解【APB总线协议】的优质视频,以及关于FPGA与开发板区别的深度讨论(开发板=软件控制固定硬件,FPGA=自定义硬件逻辑)。涵盖SoC芯片设计中的总线协议基础(APB常用于外设连接)与可编程逻辑入门概念。相关内容有助于Xilinx/AMDIntel/Altera等FPGA平台以及所有SoC设计公司的从业者打牢基础。对于刚入行的半导体工程师,理解APB时序、掌握软硬件设计差异是进阶必修课,这些经社区精选的资源可大幅缩短学习曲线。

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