1. 有资深行业观察者指出,他从多方迹象推测High-NA EUV(高数值孔径极紫外光刻)可能完全不会用于DRAM生产。
2. 属于光刻这一核心工艺步骤的技术路线分歧。
3. 直接影响ASML的High-NA设备后续订单,以及三星、SK海力士等存储巨头的资本开支方向。
4. 该推测认为DRAM厂可能继续用现有的Low-NA EUV做多次曝光,然后直接跳转到3D DRAM时代。这就像决定不买下一代光刻机,而是通过复杂工艺和全新晶体管结构来解决,对ASML是重大利空,但属个人观点分析,需谨慎看待。
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