每日新闻(2026-07-17)

2026-07-17 18:00 · 共 15 条要点
台积电A14制程内部验证已近90%目标,1.4nm工艺推进顺利;博世获2.25亿美元CHIPS法案补贴,改造美国工厂生产碳化硅(SiC),本土车规级功率半导体产能扩张;本周半导体行业聚焦于先进封装产能争夺与EUV光刻设备扩张。台积电CoWoS产能持续吃紧并乐见竞争者加入,力成与博通合资4亿美元抢占FOPLP市场;ASML的High-NA EUV需求强劲,其雷射供应商创浦看好未来两年成为主流;本期动态聚焦两大事件:美国拟对【韩国芯片制造商】设超额利润分享机制,可能影响三星与SK海力士的在美投资;英特尔重心转向爱尔兰晶圆厂,德国项目悬而未决,欧洲存储器制造或迎新机;本期聚焦关键矿物精炼获美国国防基金支持、汽车存储需求开启百GB时代,以及台积电资本支出远期预期冲向900亿美元,凸显原材料安全与EUV设备投资竞赛三大主线
技术进展 7条
台积电A14制程内部验证进度近90%,2028年量产目标不变

1.台积电A14制程(相当于1.4纳米)内部验证达到目标的近90%,量产时间仍锁定2028年。

2.属于前道晶圆制造光刻与【蚀刻】等关键环节,是先进工艺节点推进的重要里程碑。

3.直接影响台积电自身及其大客户(如苹果、英伟达),并拉大与三星、英特尔的技术差距。

4.对新人来说:A14比当前3纳米还要先进两代,晶体管更密集,芯片性能更高、功耗更低,验证进度快意味着整个产业链可提前为EDA工具和IP准备。

[1]
新兴非易失性存储器RRAM/MRAM前景看好,UltraRAM准备首秀

1.RRAM、MRAM被业界认为前景广阔,Ferroelectric RAM(FeRAM)仍虎视眈眈,而新型UltraRAM则规划首次亮相。

2.多数为薄膜沉积、特殊材料与后端集成步骤,可嵌入逻辑芯片或作为独立存储。

3.台积电、三星、英特尔等已布局嵌入式MRAM,瑞萨等MCU厂商及AI推理芯片商也是潜在受益者。

4.这些存储器断电不丢数据且读写速度快,未来有望替代部分SRAM或Flash,实现“存内计算”,对低功耗AI和物联网非常关键。

[2]
ASML上游供应商:High-NA EUV将成为主流,韩国需求增长超台湾

1. 发生了什么:德国雷射大厂Trumpf(创浦)指出,全球对High-NA EUV光刻设备需求飙升,未来两年是成为主流的关键期,且来自韩国的需求增速已超台湾。

2. 产业链环节:属于光刻步骤(第6步)。High-NA EUV是制造2nm及以下芯片的关键设备光源。

3. 影响公司/赛道:ASML是该设备唯一生产商,正联手Trumpf扩产;三星等韩国存储/逻辑大厂正大力采购以争夺先进节点。

4. 新人解释:简单讲,要在指甲盖大小的芯片上刻出更精密的电路,需要“极紫外光”。High-NA是新一代更厉害的“光源技术”,能刻出更细的线,是延续摩尔定律的希望。

[3]
CoWoS外溢效应显现,雷科激光设备订单排期直达2027年初

1. 发生了什么:台系设备厂【雷科】表示,受AI驱动先进封装及测试扩产需求拉动,其雷射加工设备订单能见度已至【2027年第一季度】。

2. 产业链环节:属于封装及测试环节的检测设备步骤(第15、16步)。

3. 影响公司/赛道:下游先进封装与被动元件扩产直接拉动了上游设备厂商需求;反映出整个半导体供应链紧张的连带效应。

4. 新人解释:芯片封装完后要经过严格检测。台积电CoWoS产能扩张,不仅自己忙,连带着下游做检测、做加工设备的小厂也接到爆单。这就像是主干道堵车,连带着周边小路也车水马龙。

[4]
玻璃基板接棒硅晶圆时代?微米级TGV通孔技术推进成熟

1. 发生了什么:雷射大厂Trumpf指出,300mm硅晶圆逐渐走向物理极限,看好玻璃基板接续,并已研发出小于10微米的【玻璃通孔(TGV)】钻孔技术。

2. 产业链环节:属于封装基板环节,并影响前端晶片制备思路(第15步及第1步)。

3. 影响公司/赛道:初期影响先进封装基板厂商,长期可能颠覆环球晶等硅晶圆巨头的部分市场,利好玻璃基板供应链。

4. 新人解释:芯片越做越大(像AI芯片),在上面牵线的“地板”(基板)如果还是硅做的,容易热胀冷缩变形。玻璃更平整、更稳定,打穿它用来导电的微孔就是TGV。这是未来“地基”材料的大革命。

[5]
英特尔加倍押注爱尔兰Fab 34,德国晶圆厂项目暂搁,欧洲存储器制造或现转机

1. 英特尔确认加大对爱尔兰Fab 34的投入,同时德国马格德堡先进制程工厂的用地前景仍不明朗,项目基本停滞。

2. 属于【前道晶圆制造】环节,涉及光刻、蚀刻等全流程产能布局。

3. 直接影响英特尔的欧洲制造战略,并为其他厂商(尤其是存储器企业)接手德国厂址提供想象空间。

4. 此举折射出英特尔在欧调配芯片产能的现实逻辑:优先保障已启动的成熟据点,而新项目受补贴与市场需求双重制约。

[6]
外资券商:台积电资本支出至2028年或达900亿美元,EUV成本成主推

1.发生了什么:台积电业绩会后,多家外资券商预测其资本支出将在2026年触及640亿美元高点,并可能在2028年攀升至900亿美元,主要由EUV光刻成本驱动。

2.属于产业链哪个环节:前道晶圆制造的光刻步骤,特别是先进制程对EUV光刻机的庞大采购。

3.可能影响的公司或赛道:台积电本身、光刻机巨头ASML以及整个设备供应链,也间接抬高竞争对手的进入门槛。

4.为什么值得关注:资本支出若达900亿美元,将是2024年的近3倍,意味着台积电对2nm及以下制程的EUV设备需求空前膨胀,将进一步拉大与对手的技术代差,同时考验其自身盈利能力。

[7]
供应链变化 6条
博世获2.25亿美元CHIPS补贴,改造加州工厂专攻SiC车规级芯片

1.博世获得美国CHIPS法案2.25亿美元直接资助,将把加州Roseville工厂转型为碳化硅(SiC)功率半导体生产基地。

2.对应晶片制备、掺杂及封装测试等步骤,专注于高电压、高温耐受的SiC器件。

3.博世自身供应链及SiC衬底供应商(如Wolfspeed)受益,电动车客户也将获得更稳定供应。

4.碳化硅能让电动车逆变器效率更高,之前全球产能主要聚集在亚洲和美国少数厂,这笔补贴有助强化美国本土车用芯片安全。

台积电CoWoS产能极度吃紧,业界扩产应对后段封装瓶颈

1. 发生了什么:台积电法说会透露,其CoWoS先进封装产能仍然“非常吃紧”,乐见Intel EMIB等其他方案分担压力。

2. 产业链环节:属于封装步骤(第15步)。直接关系到AI芯片从晶圆制造后能否成功转化为可出货产品。

3. 影响公司/赛道:台积电及其封测协力伙伴正加速扩产;英特尔的EMIB技术被视为重要替代方案;AI芯片厂商如NVIDIA、AMD将受益于产能缓解。

4. 新人解释:AI芯片算力强,但若没有先进封装将计算核心与高带宽内存(HBM)“堆叠并联”起来,数据堵在路上,性能就发挥不出来。封装成了当前AI计算的最大卡脖子环节。

力成与博通合资4亿美元,在新加坡设立FOPLP面板级封装产线

1. 发生了什么:封测厂力成与【博通】联手,砸下4亿美元在新加坡成立合资公司,主攻面板级封装(FOPLP),预计2026年底启动。

2. 产业链环节:属于封装步骤(第15步),针对下一代封装载板的材料变更(用方形面板取代圆形晶圆)。

3. 影响公司/赛道:力成通过绑定大客户巩固先进封装地位;【博通】以此保障供货稳定;直接对标台积电的衍生封装技术。

4. 新人解释:传统封装在“圆形”晶圆上做,FOPLP是在“方形”面板上做,一次能切的芯片更多,成本更低。这是打破当前封装产能瓶颈、降低AI芯片成本的另一条路径。

AI抢货与结构涨价叠加,汽车芯片恐面临新一轮短缺

1. 发生了什么:2026年上半年半导体供应链出现1-2波涨价与配货限制,AI抢走大量产能,车规芯片采购端压力暴增,市场担忧重演缺芯潮。

2. 产业链环节:主要影响成熟制程的【氧化、掺杂、封装】等多个步骤,挤占了非AI芯片的生存空间。

3. 影响公司/赛道:【汽车制造商】面临成本上升与断供风险;台积电等代工厂将衡量如何在AI与汽车客户间分配成熟产能。

4. 新人解释:芯片厂的产能有限,现在最赚钱的AI芯片需求爆满,自然挤占了像汽车用的电源管理这类虽然没那么先进但量很大的芯片位置。这就像餐厅优先招待点高价菜的大桌客人,普通散客就得排队了。

美国据传拟分享韩国芯片制造商‘超额利润’,三星、SK海力士在美投资回报承压

1. 美国被曝考虑要求韩国芯片制造商分享在美投资的“超额利润”,或通过附加条款或收益分配机制实现。

2. 属于政策与贸易环节,直接影响晶圆制造及封装等重资产投资决策。

3. 主要影响三星SK海力士的在美建厂回报,也可能波及美光等竞争对手的竞争格局。

4. 新入行者需知,此类政策会显著改变半导体产能的区域布局,迫使厂商重新评估资本开支和供应链安全。

ReElement获2500万美元国防基金,扩大美国关键矿物精炼产能

1.发生了什么:美国公司ReElement从国防部工业基础基金获得2500万美元,用于扩大国内关键矿物精炼能力。

2.属于产业链哪个环节:半导体最上游硅晶圆制备前的稀土、镓等关键矿物精炼,直接影响化合物半导体和国防芯片原料。

3.可能影响的公司或赛道:ReElement本身,以及依赖本土精炼的GaN/SiC芯片厂商,如Qorvo、Skyworks。

4.为什么值得关注:全球关键矿物加工高度集中,美国加速本土精炼以保障国防供应链安全,避免在化合物半导体、雷达芯片等领域出现断供风险。

市场与需求 2条
CXMT DDR5内存早期测试:性能与一致性不及SK海力士,电压调节能力弱

1.【长鑫存储】的DDR5内存被测试发现性能与一致性落后于SK海力士,出现电压调节困难且手动超频能力较弱。

2.涉及封装测试及前道的晶片、掺杂等DRAM制造全流程,反映了量产良率和成熟度。

3.影响长鑫存储自身市场信誉,以及计划导入国产DRAM的PC厂商,SK海力士和三星则有望维持高端份额。

4.这意味着国产DRAM已迈入DDR5时代,但与一线原厂仍有代差,性能一致性是走向数据中心等高端市场的关键门槛。

汽车存储需求激增:美光新增7家客户,特斯拉HW4.0采用32GB内存

1.发生了什么:美光宣布在汽车记忆体战略中新增7家长期客户,包括Qualcomm和三星哈曼;特斯拉HW4.0系统搭载32GB的GDDR6/LPDDR。

2.属于产业链哪个环节:存储芯片的终端应用市场,涉及车载信息娱乐与自动驾驶的DRAM/NAND需求拉动。

3.可能影响的公司或赛道:美光、三星、Qualcomm、特斯拉,以及所有进入智能座舱和自动驾驶的芯片设计公司。

4.为什么值得关注:智能汽车单车记忆体用量正从GB级向百GB级演进,这轮由AI助手、信息娱乐引发的汽车存储器升级,可能复制手机市场的爆发曲线,改变汽车芯片供需格局。

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