每日新闻(2026-07-05)

2026-07-05 18:00 · 共 4 条要点
本期产业动态受节日影响整体清淡,仅开源EDA工具kepler-formal发布设计验证新功能值得关注;全球半导体供应链再现涨价潮,【MLCC价格飙升10倍】叠加【8英寸晶圆产能持续减少】加剧供应紧张,波及AI、汽车及工业领域;本期核心动态聚焦CXMT突破bonded DRAM绕过EUV封锁,以及Intel在1.4nm制程评估双面供电架构以应对光刻极限,凸显存储与逻辑芯片在物理约束下的差异化创新路径
技术进展 2条
CXMT测试bonded DRAM中试线,利用晶圆键合绕过EUV实现高密度DRAM

1.发生了什么:中国长鑫存储(CXMT)在合肥测试bonded DRAM中试产线,将存储阵列与外围电路分别在不同晶圆制造,然后通过键合集成,仅使用DUV光刻和多层图案化技术,无需EUV即可制造超高密度DRAM。

2.属于产业链哪个环节:涉及前道晶圆制造(逻辑与存储单元分开流片,需光刻、蚀刻、沉积)和先进封装中的晶圆对晶圆键合(步骤15),是制造架构上的集成创新。

3.可能影响的公司或赛道:CXMT若成功,将缩小与三星SK海力士差距,三星“B1b”与SK海力士类似项目面临竞争;EUV设备需求可能被稀释,影响ASML;键合设备及DUV材料需求上升。

4.为什么值得关注:这是中国存储厂商在EUV受限下开辟的非光刻缩放路径,有望改变DRAM竞争格局。对新人而言,就像将复杂积木分成两块分别搭建再合并,绕开了最精细雕刻工具的限制,成本与良率控制是关键。

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Intel评估1.4nm级双面供电架构,以应对M0间距缩至21nm的IR压降与光刻极限

1.发生了什么:Intel在1.4nm级14A2工艺(预计2028年风险试产)内部评估同时使用正面和背面的双面供电架构,以解决单一背面供电(BSPDN)在M0金属间距缩至21nm时出现的严重IR压降问题,被迫将部分正面互连重新用作辅助电源和时钟信号。

2.属于产业链哪个环节:直接关联光刻(步骤6,需双重曝光或High-NA EUV处理21nm间距)、背面供电(步骤14)及前道互连集成,是后段工艺与光刻能力妥协的产物。

3.可能影响的公司或赛道:Intel代工能否在2028年锁定客户,与台积电N2/A14及三星SF2Z竞争;若架构复杂导致良率灾难,可能重演三星代工历史;对High-NA EUV设备及BSPDN配套设备部署节奏有影响。

4.为什么值得关注:这暴露了先进制程中供电架构的物理天花板——背面供电“血管”不够用,必须加正面辅助,是架构上的迂回妥协。新人可理解为:电路线极细后电阻飙升,就像水管变细水压不足,需要在另一面加辅助水泵。

供应链变化 2条
开源形式验证工具kepler-formal新增时序等价性检查,助力芯片设计验证

1. 开源EDA工具kepler-formal新增支持RTL与门级【时序等价性检查】功能,可验证逻辑综合前后电路功能等价性。

2. 属于芯片设计验证阶段,位于制造流程之前,是保证最终硅片功能正确的重要步骤。

3. 主要影响使用【开源EDA工具链】的小型芯片设计团队与学术研究,降低对商业工具的依赖。

4. 对于新人:时序等价性检查可防止综合过程引入功能错误,是数字IC流程中的关键一环,开源方案有助于降低设计门槛。

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全球半导体全线涨价,AI用MLCC价格最高涨10倍,8英寸晶圆产能萎缩雪上加霜

1.发生了什么:全球20多家半导体厂商7月起全面提价,AI用MLCC部分规格价格暴涨3-10倍,分销商出现半日内报价变动、两小时涨50%的极端情况;海外英飞凌等涨10-25%,国产芯片也涨超15%。

2.属于产业链哪个环节:MLCC属被动元件,但涨价波及整个半导体品类;【8英寸晶圆产能持续减少】直接冲击成熟制程芯片的晶圆制备环节(步骤1),加剧MCU、电源IC等短缺。

3.可能影响的公司或赛道:英飞凌提价并预期AI电源营收达15亿欧元,中国分销商面临高价库存贬损风险;依赖8英寸的汽车、工业芯片供应商成本压力增大。

4.为什么值得关注:8英寸晶圆是成熟制程基石,产能退出反映结构性收缩;MLCC单颗虽小,却是AI服务器电源模块的必备,其价格跳升揭示AI需求对全供应链的挤占效应。

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